产品别名 |
贴片整流二极管,贴片晶体二极管 |
面向地区 |
贴片二极管又称晶体二极管，简称二极管(diode)，另外，还有早期的真空电子二极管。它是一种具有单向传导电流的电子器件。在半导体二极管内部有一个PN结两个引线端子，这种电子器件按照外加电压的方向，具备单向电流的转导性。一般来讲，贴片晶体二极管是一个由p型半导体和n型半导体烧结形成的p-n结界面。在其界面的两侧形成空间电荷层，构成自建电场。当外加电压等于零时，由于p-n 结两边载流子的浓度差引起扩散电流和由自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态，这也是常态下的二极管特性。
贴片二极管的管压降：硅二极管（不发光类型）正向管压降0.7V，锗管正向管压降为0.3V，发光二极管正向管压降会随不同发光颜色而不同。主要有三种颜色，具体压降参考值如下：红色发光二极管的压降为2.0--2.2V，黄色发光二极管的压降为1.8—2.0V，绿色发光二极管的压降为3.0—3.2V，正常发光时的额定电流约为20mA。贴片二极管的电压与电流不是线性关系，所以在将不同的贴片二极管并联的时候要接相适应的电阻。
在工程技术中，贴片二极管与普通二极管的内部结构基本相同，均由一个PN结组成。因此，贴片二极管的检测与普通二极管的检测方法基本相同。对贴片二极管的检测通常采用万用表的R×100 Ω 档或R×1 kΩ档进行测量。
整流二极管是一种将交流电能转变为直流电能的半导体器件。通常包含一个PN结，有正极和负极两个端子。整流二极管一般为平面型硅二极管，用于各种电源整流电路中。
反向击穿作用
整流二极管的作用中的反向击穿，反向击穿按机理原理分为齐纳击穿和雪崩击穿两种情况。整流二极管在高掺杂浓度的情况下，整流二极管因势垒区宽度很小，反向电压较大会破坏势垒区内共价键结构，使电子脱离共价键束缚，产生电子空穴，整流二极管的作用中的另一种击穿为雪崩击穿。当整流二极管反向电压增加到较大数值时，外加电场会使电子漂移速度加快，从而使整流二极管共价键中的价电子相碰撞，把价电子撞出共价键，产生新的电子空穴对。
二极管的反向恢复时间产生的原因：
二极管是半导体器件，由一对PN结组成，PN结有电荷存储效应（电荷消失需要一定时间）。
二极管的反向恢复时间就是由PN结的电荷存储效应引起的。
