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TI汽车级IC |
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TI德州仪器线性和低压降 (LDO) 稳压器低噪声 LDO产品系列:
TPS7A87 500mA、低噪声、高 PSRR、双通道可调节低压降稳压器
TPS7A88 1A、低噪声、高 PSRR、双通道可调节低压降稳压器
TPS7A3501 具有使能功能的 1A、低噪声、可调节低压降稳压器
TPS7A54 4A、低输入电压 (1.1V)、低噪声、、低压降 (LDO) 稳压器
TPS7A53 3A、低输入电压 (1.1V)、低噪声、、低压降 (LDO) 稳压器
TPS7A52 2A、低输入电压 (1.1V)、低噪声、、低压降 (LDO) 稳压器
TPS7A54-Q1 汽车类 4A、低输入电压 (1.1V)、低噪声、、低压降 (LDO) 稳压器
TPS7A53-Q1 汽车类 3A、低输入电压 (1.1V)、低噪声、、低压降 (LDO) 稳压器
TPS7A52-Q1 汽车类 2A、低输入电压 (1.1V)、低噪声、、低压降 (LDO) 稳压器
TPS7A83A 具有电源正常指示功能的 2A、低输入电压 (1.1V)、低噪声、、低压降稳压器
TPS7A85A 具有电源正常指示功能的 4A、低输入电压 (1.1V)、低噪声、、低压降稳压器
TPS7A84A 具有电源正常指示功能的 3A、低输入电压 (1.1V)、低噪声、、低压降稳压器
TPS7A85 具有电源正常指示功能的 4A、低输入电压、低噪声、、低压降稳压器
TPS7A84 具有电源正常指示功能的 3A、低输入电压、低噪声、、低压降稳压器
TPS7A92 2A、低噪声、高 PSRR、、可调节低压降稳压器
TPS7A90 500mA、低噪声、高 PSRR、、可调节低压降稳压器
TPS7A91 1A、低噪声、高 PSRR、、可调节低压降稳压器
TPS7A53A-Q1 汽车类 3A、低输入电压、低噪声 (5.6µVRMS)、、低压降稳压器
TPS7A8300 具有电源正常指示功能的 2A、低输入电压、低噪声、低压降稳压器
LP8900 具有使能功能的 200mA、低噪声、、双通道低压降稳压器
LP5907-Q1 具有低 IQ 和使能功能的汽车类 250mA、低噪声、高 PSRR、低压降稳压器
TI德州仪器电池管理电池保护器
部分型号主要参数特性:
BQ77207 3 系列至 7 系列锂离子电池、内部延迟计时器、电压和温度保护器
BQ77216 具有内部延迟计时器、适用于 3 节至 16 节串联锂离子电池的电压和温度保护器
BQ77915 具有电池自主平衡功能的 3 节至 5 节串联可堆叠低功耗初级保护器
BQ2980 适用于单节锂离子和锂聚合物电池的高侧保护器
BQ294533 适用于 2 节和 3 节锂离子电池的过压保护
BQ77904 3-4S 低功耗保护器
BQ2962 适用于 2 节、3 节和 4 节串联锂离子电池的过压保护
TI德州仪器监控器和复位 IC部分型号特性:
TPS3436-Q1 汽车类、纳安级静态电流、精密窗口看门狗计时器
TPS3435-Q1 汽车类纳安级静态电流精密看门狗计时器
TPS3704-Q1 精度紧凑型汽车多通道窗口监控器
TPS3760-Q1 具有感应功能、低 IQ 和延迟的汽车类 65V 过压或欠压监控器
TPS38 具有低静态电流和延时功能的 65V 双通道监控器
TPS3760 具有感应功能、低静态电流和延迟的 65V 过压或欠压监控器
TPS389006-Q1 汽车类多通道过压和欠压 I²C 可编程电压监控器和监测器
TPS37 具有低静态电流和延时功能的 65V 窗口监控器
TPS37-Q1 具有低静态电流和延时功能的汽车 65V 窗口监控器
TPS38-Q1 具有低静态电流和延时功能的汽车类 65V 双通道监控器
TPS3704 精度紧凑型多通道窗口监控器
TI德州仪器MOSFET管更多型号请联系业务咨询:
CSD18532Q5BT
采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、3.2mΩ、60V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
CSD88584Q5DC - 采用 5mm x 6mm SON 封装的 50A、40V、N 沟道同步降压 NexFET™ 功率 MOSFET Dual-Cool™ 电源块
CSD88599Q5DC - 采用 5mm x 6mm SON 封装的 40A、60V、N 沟道同步降压 NexFET™ 功率 MOSFET Dual-Cool™ 电源块
CSD87313DMS - 采用 3mm x 3mm SON 封装的双路共漏极、5.5mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
CSD18510Q5B - 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、0.96mΩ、40V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
CSD18510KCS - 采用 TO-220 封装的单路、1.7mΩ、40V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
TI德州仪器MOSFET管:
CSD18511KCS 的特性
低 Qg 和 Qgd
低 RDS(ON)
低热阻
雪崩额定值
无铅引脚镀层
符合 RoHS 环保标准
无卤素
晶体管 (TO)-220 塑料封装
CSD25501F3 - 采用 0.6mm x 0.7mm LGA、具有栅极 ESD 保护的单路、76mΩ、-20V、P 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
CSD18511KCS - 采用 TO-220 封装的单路、2.6mΩ、40V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
CSD18511KTT - 采用 D2PAK 封装的单路、2.6mΩ、40V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
CSD87503Q3E - 采用 3mm x 3mm SON 封装的双路共源极、21.9mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
CSD17318Q2 - 采用 2mm x 2mm SON 封装的单路、16.9mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
CSD22205L - 采用 1.2mm x 1.2mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、9.9mΩ、-8V、P 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
CSD22206W - 采用 1.5mm x 1.5mm WLP 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、5.7mΩ、-8V、P 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
TI德州仪器电源管理-MOSFET管
N 沟道 MOSFET
P 沟道 MOSFET
CSD95420RCB:
50-A peak continuous synchronous buck NexFET™ smart power
51-CSD95372AQ5M:
具有温度感应功能的 60A 同步降压 NexFET™ 功率级
部分同类产品:
CSD95420RCB - 50-A peak continuous synchronous buck NexFET™ smart power stage
CSD95410RRB - 90A 峰值连续同步降压 NexFET™ 智能功率级
CSD96497Q5MC - 采用 DualCool 封装的 65A 同步降压 NexFET 智能功率级
CSD95485RWJ - 采用业界通用封装的 75A NexFET™ 同步降压智能功率级
主营行业:IC集成电路 |
公司主营:MCU与微处理器,存储芯片与驱动芯片,电源管理与音频功放,数据转换与无线芯片--> |
主营地区:深圳 |
企业类型:有限责任公司(自然人独资) |
注册资金:人民币1000000万 |
公司成立时间:2018-12-27 |
经营模式:生产+贸易型 |
最近年检时间:2018年 |
登记机关:南山局 |
经营范围:电子元器件、电子产品、数码产品、通讯产品的技术开发、技术服务与销售;投资兴办实业(具体项目另行申报);经营电子商务;商务信息咨询;互联网科技产品、计算机软硬件的研发与销售;国内贸易;经营进出口业务。(以上项目法律、行政法规、国务院决定禁止的项目除外,限制的项目须取得许可后方可经营)^ |
公司邮编:518000 |
————— 认证资质 —————
惠州本地TI汽车级IC热销信息